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NP33N06YDG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP33N06YDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=14mΩMAX.(VGS=10V,ID=16.5A) •LowCiss:Ciss=2600pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Logicleveldrivetype •Des

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更多NP33N06YDG-E2-AY供应商 更新时间2024-4-21 14:11:00