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NP28N10SDE	文件：299.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=52mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP28N10SDE	文件：984.08 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFETS •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP28N10SDE	文件：255.69 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP28N10SDEisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)1=52mΩMAX.(VGS=10V,ID=14A) RDS(on)2=59mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=14A) •LowCiss:Ciss=2200pFTYP.(VDS=2	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP28N10SDE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
SSFP28N10	文件：201.82 Kbytes Page：2 Pages	StarMOSTPowerMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark

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更多NP28N10SDE其他被动元件供应商更新时间2025-7-29 11:00:00