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NP20P06YLG-E1-AY	文件：126.55 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP20P06YLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Lowon-stateresistance RDS(on)=47mMAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)=64mMAX.(VGS=–5V,ID=–10A) RDS(on)=70mMAX.(VGS=–4.5V,ID=–10A	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP20P06YLG-E1-AY

文件：126.55 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP20P06YLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Lowon-stateresistance RDS(on)=47mMAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)=64mMAX.(VGS=–5V,ID=–10A) RDS(on)=70mMAX.(VGS=–4.5V,ID=–10A

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