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NP180N04TUK-E1-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description NP180N04TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ・Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.05mMAX.(VGS=10V,ID=90A) ・LowCissCiss=10500pFTYP.(VDS=25V) ・Designedforautomotiveapplication

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NP180N04TUK-E1-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP180N04TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.05mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) •LowCiss:Ciss=10500pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplic

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更多NP180N04TUK-E1-AY/JM供应商 更新时间2024-6-15 15:22:00