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NP15P06SLG	文件：306.67 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP15P06SLG	文件：298.66 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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NP15P06SLG-E2-AY	文件：306.67 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP15P06SLG_15	文件：306.67 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NP15P06SLG-E1-AYNote	文件：306.67 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NP15P06SLG-E2-AYNote	文件：306.67 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
NP15P06SLG
功能描述：
MOSFET P-CH -60V MP-3ZK/TO-252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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