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NP110N055PUJ-E2B-AY_RENESAS/瑞萨_MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263宏捷佳二部
- 详细信息
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产品属性
- 类型描述 
- 型号:NP110N055PUJ-E2B-AY 
- 功能描述:MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 
- RoHS:是 
- 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 
- 系列:- 
- 标准包装:1,000 
- 系列:MESH OVERLAY™ FET 
- 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 
- 特点:逻辑电平门 
- 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° 
- C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° 
- C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 
- Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ 
- Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ 
- Vds:1560pF @ 25V 功率 - 
- 最大:40W 
- 安装类型:通孔 
- 封装/外壳:TO-220-3 整包 
- 供应商设备封装:TO-220FP 
- 包装:管件 
供应商
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