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NP109N04PUJ-E1B-AY	文件：318.16 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP109N04PUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A) • Low input capacitance Ciss = 6900 pF TYP. • Designed for automotive applicati 文件：318.16 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP109N04PUJ-E1B-AYNote	文件：318.16 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：318.16 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多NP109N04PUJ-E1供应商更新时间2026-1-27 14:02:00