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NP100P06PLG-E1-AY	文件：189.76 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P06PLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=7.8mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NP100P06PLG-E1-AY	文件：1.36064 Mbytes Page：8 Pages	-60V–-100A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=6.0mMax.(VGS=-10V,ID=-50A) RDS(on)=7.8mMax.(VGS=-4.5V,ID=-50A) Lowinputcapacitance:Ciss=	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=6.0mMax.(VGS=-10V,ID=-50A) RDS(on)=7.8mMax.(VGS=-4.5V,ID=-50A) Lowinputcapacitance:Ciss=

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