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NP100P06PDG规格书详情
描述 Description
The NP100P06PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特性 Features
• Super low on-state resistance RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −50 A) RDS(on)2 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −50 A)
• High current rating: ID(DC) = ∓100 A
技术参数
- 制造商编号
：NP100P06PDG
- 生产厂家
：Renesas
- Channels (#)
：1
- Pkg. Type
：MP-25ZP
- Standard Pkg. Type
：TO-263 / D2PAK
- VDSS (Max) (V)
：-60
- ID (A)
：-100
- RDS (ON)(Max) @10V or 8V (mohm)
：6
- RDS (ON) (Max) @ 4V or 4.5V or 5V (m ohm)
：7.8
- Pch (W)
：200
- VGSS
：20
- Vgs (off) (Max) (V)
：-2.5
- RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)
：4.4
- Ciss (Typical) (pF)
：15000
- QG (nC) typ (nC)
：300
- Mounting Type
：Surface Mount
- Series Name
：NP Series
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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