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ProductScoutAutomotive | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P04PLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.7mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(D | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
40VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-20A | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | PANJIT | ||
40VP-ChannelEnhancementModeMosfet Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-20A | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | PANJIT | ||
-40VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Batteryprotection Loadswitch Uninterruptiblepowersupply | YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司 | YFWDIODE | ||
-40VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Batteryprotection Loadswitch Uninterruptiblepowersupply | YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司 | YFWDIODE |
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