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IXUC100N055	文件：575.61 Kbytes Page：2 Pages	ElectricallyIsolatedBackSurface TrenchPowerMOSFETISOPLUS220™ ElectricallyIsolatedBackSurface Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •TrenchMOSFET -verylowRDS(on) -fastswitching -usableintr	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
NP100N055MDH	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NP100N055PUK	文件：110 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP100N055PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.25mMAX.(VGS=10V,ID=50A) •LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicatio	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100N055PUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100N055PUK	文件：268.66 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.25mMAX.(VGS=10V,ID=50A) LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qualified	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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