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NNCD6.2E	文件：40.02 Kbytes Page：8 Pages	ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 200 mW TYPE ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES(200mWTYPE) ThisproductseriesisadiodedevelopedforE.S.D(ElectrostaticDischarge)noiseprotection.BasedontheIEC1000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),thediodeassuresanenduranceofnolessthan30kV,thusmakingits	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD6.2F	文件：40.17 Kbytes Page：8 Pages	ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODESDOUBLETYPE,ANODECOMMON3PINMINIMOLD ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES(DOUBLETYPE,ANODECOMMON) 3PINMINIMOLD ThisproductseriesisadiodedevelopedforE.S.D(ElectrostaticDischarge)noiseprotection.BasedontheIEC1000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),thediodeassuresanenduranceofno	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD6.2G	文件：41.98 Kbytes Page：8 Pages	ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES(QUARTOTYPE:COMMONANODE)5PINMINIMOLD ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES(QUARTOTYPE:COMMONANODE) 5PINMINIMOLD ThisproductseriesisadiodedevelopedforE.S.D(ElectrostaticDischarge)noiseprotection.BasedontheIEC1000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),thediodeassuresanenduranceof	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD6.2LG	文件：49.3 Kbytes Page：8 Pages	LOWCAPACITANCETYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES(QUARTOTYPE:COMMONANODE)5-PINMINIMOLD	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD6.2LH	文件：49.45 Kbytes Page：8 Pages	LOWCAPACITANCETYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES(QUARTOTYPE:COMMONANODE)5-PINSUPERSMALLMINIMOLD	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD6.2MF	文件：36.31 Kbytes Page：4 Pages	LOWCAPACITANCEHIGHESDTYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES3-PINMINIMOLD	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD6.2MG	文件：35.49 Kbytes Page：4 Pages	LOWCAPACITANCEHIGHESDTYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES5-PINMINIMOLD	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
PDZ6.2B	文件：63.16 Kbytes Page：8 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powergeneralpurposevoltageregulatordiodesinasmallplasticSMDSOD323package. FEATURES •Totalpowerdissipation: max.400mW •Smallplasticpackagesuitablefor surfacemounteddesign •Widevarietyofvoltageranges: nom.2.4to36V(E24range).	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDZ6.2B	文件：117.54 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGE4.7to36VoltsPOWER400mWatts FEATURES •PlanarDieconstruction •400mWPowerDissipation •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •LeadfreeincomplywithEURoHS2002/95/ECdirectives. •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree)	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PDZ6.2B	文件：294.89 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

详细参数

型号：
NNCD6.2E
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 200 mW TYPE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	NNCD6.2E	NEC	24+	SOT23	3000		询价
深圳市近平电子有限公司	NNCD6.2E-T1B	NEC	6000	面议	19	62/23	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	NNCD6.2E-T1B	NEC	08+	SOT23	3000	普通	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	NNCD6.2E-T1B	NEC	2022+	SOT-23	3000	原厂代理终端免费提供样品	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NNCD6.2E-T1-A	NEC	23+	SOT-23	32350	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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更多NNCD6.2E供应商更新时间2025-5-24 10:02:00

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