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NNCD9.1C	文件：41.95 Kbytes Page：8 Pages	ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 150 mW TYPE ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES(150mWTYPE) ThisproductseriesisadiodedevelopedforE.S.D(ElectrostaticDischarge)noiseprotection.BasedontheIEC1000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),thediodeassuresanenduranceofnolessthan30kV,thusmakingits	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD9.1D	文件：41.63 Kbytes Page：8 Pages	ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES200mWTYPE ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES(200mWTYPE) ThisproductseriesisadiodedevelopedforE.S.D(ElectrostaticDischarge)noiseprotection.BasedontheIEC1000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),thediodeassuresanenduranceofnolessthan30kV,thusmakingits	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD9.1DA	文件：227.15 Kbytes Page：8 Pages	ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODE2-PINSUPERMINIMOLD ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODE 2-PINSUPERMINIMOLD DESCRIPTION TheseproductsarethediodedevelopedforESD(ElectrostaticDischarge)noiseprotection.BasedontheIEC61000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),thediodeassuresanendurance,thusmakingits	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NNCD9.1E	文件：40.02 Kbytes Page：8 Pages	ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES200mWTYPE ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES(200mWTYPE) ThisproductseriesisadiodedevelopedforE.S.D(ElectrostaticDischarge)noiseprotection.BasedontheIEC1000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),thediodeassuresanenduranceofnolessthan30kV,thusmakingits	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD9.1F	文件：40.17 Kbytes Page：8 Pages	ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODESDOUBLETYPE,ANODECOMMON3PINMINIMOLD ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES(DOUBLETYPE,ANODECOMMON) 3PINMINIMOLD ThisproductseriesisadiodedevelopedforE.S.D(ElectrostaticDischarge)noiseprotection.BasedontheIEC1000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),thediodeassuresanenduranceofno	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
PASMA9.1C	文件：592.14 Kbytes Page：7 Pages	400Wsurgecapabilityat1ms	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
PASMA9.1CA	文件：592.14 Kbytes Page：7 Pages	400Wsurgecapabilityat1ms	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
PDZ9.1B	文件：63.16 Kbytes Page：8 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powergeneralpurposevoltageregulatordiodesinasmallplasticSMDSOD323package. FEATURES •Totalpowerdissipation: max.400mW •Smallplasticpackagesuitablefor surfacemounteddesign •Widevarietyofvoltageranges: nom.2.4to36V(E24range).	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDZ9.1B	文件：117.54 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGE4.7to36VoltsPOWER400mWatts FEATURES •PlanarDieconstruction •400mWPowerDissipation •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •LeadfreeincomplywithEURoHS2002/95/ECdirectives. •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree)	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PDZ9.1B	文件：294.89 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

详细参数

型号：
NNCD9.1C
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 150 mW TYPE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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