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NM27C512中文资料524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NM27C512

参数属性

NM27C512 封装/外壳为28-DIP(0.600",15.24mm);包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28DIP

功能描述

524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM
IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28DIP

封装外壳

28-DIP(0.600",15.24mm)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 17:51:00

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NM27C512规格书详情

简介

NM27C512属于集成电路(IC)的存储器。由制造生产的NM27C512存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

技术参数

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  • 产品编号:

    NM27C512N150

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    EPROM

  • 技术:

    EPROM - OTP

  • 存储容量:

    512Kb(64K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    28-DIP(0.600",15.24mm)

  • 供应商器件封装:

    28-PDIP

  • 描述:

    IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28DIP

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