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PMH550UNEA	文件：278.45 Kbytes Page：15 Pages	30V,N-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3 (SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMH550UNEH	文件：272.59 Kbytes Page：14 Pages	30V,N-channelTrenchMOSFET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3(SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnol	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMH550UPE	文件：274.47 Kbytes Page：14 Pages	20V,P-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3 (SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFETte	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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