NLAS44599数据手册ONSEMI中文资料规格书

描述 Description

NLAS44599 是一种先进的 CMOS 双刀双掷 (DPDT) 模拟开关，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现高速传播延迟和低导通电阻，同时能够保持 CMOS 的低功耗。此 DPDT 控制在完整电源范围（从 VCC 到 GND）内变化的模拟和数字电压。NLAS44599 还可用作四路 2:1 多路复用器/信号分离器模拟开关，带有两个选择引脚，每个引脚控制两个多路复用器/信号分离器。

特性 Features

• Channel Select Input Over-Voltage Tolerant to 5.5 V
• Fast Switching and Propagation Speeds
• Break-Before-Make Circuitry
• Low Power Dissipation: ICC = 2 mA (Max) at TA = 25°C
• Diode Protection Provided on Channel Select Input
• Improved Linearity and Lower ON Resistance over Input Voltage
• Latchup Performance Exceeds 300 mA
• ESD Performance: HBM > 2000 V; MM > 200 V
• Chip Complexity: 158 FETs