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NLAS3799B	文件：99.74 Kbytes Page：11 Pages	Dual DPDT Ultra?묹ow RON Switch 文件：99.74 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NLAS3799B	文件：177.37 Kbytes Page：12 Pages	Dual DPDT Ultra-Low RON Switch 文件：177.37 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NLAS3799BL	文件：99.74 Kbytes Page：11 Pages	Dual DPDT Ultra?묹ow RON Switch 文件：99.74 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NLAS3799BLMNR2G	文件：99.74 Kbytes Page：11 Pages	Dual DPDT Ultra?묹ow RON Switch 文件：99.74 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NLAS3799BLMNR2G	文件：177.37 Kbytes Page：12 Pages	Dual DPDT Ultra-Low RON Switch 文件：177.37 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NLAS3799BMNR2G	文件：99.74 Kbytes Page：11 Pages	Dual DPDT Ultra?묹ow RON Switch 文件：99.74 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NLAS3799BMUR2G	文件：177.37 Kbytes Page：12 Pages	Dual DPDT Ultra-Low RON Switch 文件：177.37 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NLAS3799B	文件：300 bytes Page：1 Pages	模拟开关，双 DPDT，超低导通电阻 The NLAS3799B is an ultra low RON dual DPDT and a 0.5 Ohms RON analog switch. This device is designed for low operating voltage, high current switching of speaker output and earpiece for cell phone applications. It can switch a balanced stereo output. The NLAS3799B can handle a balanced microphone, • Single Supply Operation, 1.65 to 4.5 V\n• Function Directly from LiON Battery\n• Maximum Breakdown Voltage: 5.5 V\n• Low Static Power\n• NLAS3799B Interfaces with 2.8 V Chipset; NLAS3799BL Interfaces with 1.8 V Chipset;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
Analog Switch
Channels：
4
Number of Switches：
8
Configuration：
DPDT
Icc Max (µA)：
2
ron Max (Ω)：
0.4
VCC Min (V)：
1.65
VCC Max (V)：
4.5
Package Type：
QFN-16

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NLAS3799B供应商更新时间2026-1-27 13:31:00

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