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NJX1675PDR2G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NJX1675PDR2G
厂商型号

NJX1675PDR2G

功能描述

Complementary 30 V, 6.0 A, Transistor

文件大小

386.87 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-23 9:38:00

产品属性

  • 型号:

    NJX1675PDR2G

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT NPN/PNP +/- 30V +/- 6A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
JRC
6000
面议
19
SOD-423
询价
JRC/新日本无线
23+
NA/
18250
原装现货,当天可交货,原型号开票
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查无
0
原装现货价格有优势量大可以发货
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JRC
NA
8560
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JRC/新日本无线
23+
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SOT23
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JRC/新日本无线
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JRC/新日本无线
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SOD-323
80000
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