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NJW3281G

200Watt/15A/250V Silicon Planar NPN Type Power Transistor

DESCRIPTION ·With THINKI TO-3PB-SQ pkg ·Complement to type NJW1302G APPLICATIONS ·Home Amplifiers/Home Receivers ·Theater and Stadium Sound Systems ·Public Address Systems (PAs)

文件:4.66987 Mbytes 页数:6 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

NJW3281G

Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors

文件:89.46 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NJW3281G

Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors

文件:117.69 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NJW3281G

isc Silicon NPN Power Transistors

文件:301.24 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NJW3281G_13

Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors

文件:117.69 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NJW3281G

三极管

ONSEMI

安森美半导体

NJW3281GT4TL

三极管

Sourcechips

源芯

Sourcechips

NJW3281G

Package:TO-3P-3,SC-65-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 250V 15A TO3P-3L

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NJW3281G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 800mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 3A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    30MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P-3L

  • 描述:

    TRANS NPN 250V 15A TO3P-3L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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TO-3P-3LD
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更多NJW3281供应商 更新时间2025-11-23 8:12:00