首页>NJW0281G>规格书详情

NJW0281G中文资料Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

NJW0281G

参数属性

NJW0281G 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 250V 15A TO3P-3L

功能描述

Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors
TRANS NPN 250V 15A TO3P-3L

封装外壳

TO-3P-3,SC-65-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-26 10:04:00

人工找货

NJW0281G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

NJW0281G规格书详情

简介

NJW0281G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的NJW0281G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NJW0281G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 3A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    30MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P-3L

  • 描述:

    TRANS NPN 250V 15A TO3P-3L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSemi
2128
TO-3P
6391
全新原装公司现货
询价
ON(安森美)
24+
N/A
7904
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
询价
ON
24+
TO-3P
65200
一级代理/放心采购
询价
ON
24+
TO-3P-3LD
8866
询价
ON/安森美
19+
DO-218AB
770
正规渠道原装正品
询价
OSEN(欧芯)
23+
TO-3PNB
342
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
询价
ON
24+
TO-3P
14950
询价
ON/安森美
25+
TO-3P
8880
原装认准芯泽盛世!
询价
ON
2025+
TO-3
3715
全新原厂原装产品、公司现货销售
询价
TO-3P
18689
专注原装正品现货特价中量大可定
询价