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NJVMJD31CT4G中文资料Complementary Power Transistors数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
NJVMJD31CT4G |
| 参数属性 | NJVMJD31CT4G 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 100V 3A DPAK |
| 功能描述 | Complementary Power Transistors |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 20:34:00 |
| 人工找货 | NJVMJD31CT4G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NJVMJD31CT4G规格书详情
简介
NJVMJD31CT4G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的NJVMJD31CT4G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
NJVMJD31CT4G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 1A，4V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
TRANS NPN 100V 3A DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
24+ |
252-251 |
504559 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-252 |
18500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
TO-252-2(DPAK) |
43048 |
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询价 | ||
ONSEMI |
25+ |
SMD |
518000 |
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ON |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-252-2(DPAK) |
30000 |
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ON |
25+23+ |
TO-252 |
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ON/安森美 |
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/ |
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