NJVMJD112中文资料Complementary Darlington Power Transistors数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
NJVMJD112 |
| 参数属性 | NJVMJD112 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK |
| 功能描述 | Complementary Darlington Power Transistors |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-26 8:01:00 |
| 人工找货 | NJVMJD112价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NJVMJD112规格书详情
简介
NJVMJD112属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ONSEMI制造生产的NJVMJD112晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
NJVMJD112T4G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 2A，3V
- 频率 - 跃迁：
25MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
24000 |
原装正品现货,实单可谈,量大价优 |
询价 | |||
ON/安森美 |
2023+ |
N/A |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO252 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
安森美 |
2123+ |
DPAK |
7500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-252 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-252 |
30000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
