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MJD45H11T4-A	文件：215.43 Kbytes Page：8 Pages	Complementarypowertransistors MJD44H11T4-AMJD44H11-->NPN MJD45H11T4-AMJD45H11-->PNP Description Thedevicesaremanufacturedinlowvoltagemultiepitaxialplanartechnology.Theyareintendedforgeneralpurposelinearandswitchingapplications. Features ■Thedevicesarequalifiedforautomotiveapp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD45H11T4G	文件：76.24 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD45H11T4G	文件：192.88 Kbytes Page：6 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •Pb−FreePackagesareAvailable •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticSleeves (NoSuffix) •Stra	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD45H11T4G	文件：310.51 Kbytes Page：11 Pages	ComplementaryPowerTransistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD45H11T4G	文件：132.18 Kbytes Page：9 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJB45H11T4G	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJB45H11T4G	文件：115.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NJVMJD45H11T4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 2A，1V
频率 - 跃迁：
90MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PNP 80V 8A DPAK

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