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NJVMJD243T4G

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

ONSEMI

安森美半导体

NJVMJD243T4G

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

文件:112.97 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NJVMJD243T4G

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 100V 4A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

MJD243T4

NPN SILICON POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 100 VOLTS 12.5 WATTS

. . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications. • Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc • High DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 200 mAdc = 15 (Min) @ IC =

文件:209.75 Kbytes 页数:6 Pages

Motorola

摩托罗拉

MJD243T4

Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications

文件:98.46 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD243T4

Complementary Silicon Plastic Power Transistor

Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK−3 for Surface Mount Applications Designed for low voltage, low−power, high−gain audio amplifier applications. Features • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc • High DC Cur

文件:124.95 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NJVMJD243T4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 200mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    40MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 4A DPAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NJVMJD243T4G供应商 更新时间2025-10-11 14:37:00