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NJVMJD112T4G	文件：207.94 Kbytes Page：11 Pages	Complementary Darlington Power Transistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NJVMJD112T4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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MJD112T4	文件：147.74 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors ComplementaryDarlingtonPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJD112T4	文件：101.63 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJD112T4	文件：388.17 Kbytes Page：10 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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产品属性

产品编号：
NJVMJD112T4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 2A，3V
频率 - 跃迁：
25MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

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中天科工半导体（深圳）有限公司	NJVMJD112T4G	onsemi	23+	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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