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NJVMJB42CT4G	文件：131.91 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJB42CT4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 6A D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB42CT4	文件：123.47 Kbytes Page：8 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJD42CT4	文件：78.58 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJD42CT4G	文件：121.38 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistorsDPAKforSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“1”Suffix) •Elect	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD42CT4G	文件：123.02 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NJVMJB42CT4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 600mA，6A
电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 3A，4V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D²PAK
描述：
TRANS PNP 100V 6A D2PAK

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更多NJVMJB42CT4G供应商更新时间2025-5-16 11:41:00

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