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NJM8087

20V/μs, 10nV/√Hz, JFET Input Operational Amplifier

■ FEATURES (V+ / V− = ±15V, Typical value) ● High Slew Rate 20V/μs ● Low Noise 10nV/√Hz ● Low Distortion 0.0004 ● Gain Bandwidth 7MHz ● Supply Current at All Amplifiers 2.6mA ● High EMI Immunity EMIRR = 82dB (f = 1.8GHz) ● No Phase Reversal over Input Voltage Range ● Output Voltage close t

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NJRC

日本无线

NJM8087

20V/μs, 10nV/√Hz, JFET 输入运算放大器

NJM8087 是面向高速高耐压应用的JFET 输入运算放大器,具有高速、低噪声、低失真特性。电压转换速率为20V/μs 、噪声指数为10nV/√Hz 、失真率(THD+N)为0.0004%、输入偏置电流为25pA、全电路工作电流为2.6mA,这些特点使得NJM8087 适合用于各种各样高性能应用。NJM8087 可以±4V to±16V 的双电源电压或者以8V to 32V 的单电源电压工作。NJM8087 即使使用1000pF 的容性负载,单位增益也会稳定,即使输入超过共模电压范围但在电源电压范围之内的电压,也不会出现相位反转。并且,由于输出饱和电压低,能够扩大动态范围。NJM80 • 高电压转换速率 (20V/μs)\n• 低噪声 (10nV/√Hz)\n• 低失真率 (0.0004%)\n• GBW (7MHz)\n• 消耗电流(全回路) (2.6mA)\n• 高EMI抑制特性 (EMIRR = 82dB (f = 1.8GHz))\n• 即使超过共模输入电压范围也不会相位反转\n• 输出电压可接近V- 电源电压 (- RL = 2kΩ -14.8V to 14.1V- RL = 600Ω -14.3V to 13.9V)\n• 共模输入电压范围 (-12.5V to 12.5V)\n• 电源电压 (±4V to ±16V)\n• 单位增益稳定\n• 封装 (;

Nisshinbo

日清纺微电子

NJM8087E

丝印:8087;Package:SOP8;20V/μs, 10nV/√Hz, JFET Input Operational Amplifier

■ FEATURES (V+ / V− = ±15V, Typical value) ● High Slew Rate 20V/μs ● Low Noise 10nV/√Hz ● Low Distortion 0.0004 ● Gain Bandwidth 7MHz ● Supply Current at All Amplifiers 2.6mA ● High EMI Immunity EMIRR = 82dB (f = 1.8GHz) ● No Phase Reversal over Input Voltage Range ● Output Voltage close t

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NJRC

日本无线

TPC8087

Notebook PCs Mobile Handsets

文件:226.07 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

TPCA8087

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS)

文件:262.58 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

技术参数

  • 电源:

    Dual

  • 电源电压:

    ±4 V ~ ±16 V ( 8 V ~ 32 V)

  • 消耗电流(ch.):

    Typ. 1.3 mA ~ max. 1.5 mA

  • 输入失调电压:

    Typ. 0.1 mV ~ max. 0.8 mV

  • 电压转换速率:

    Typ. 20 V/μsec

  • 输入偏置电流:

    Typ. 0.025 nA ~ max. 0.08 nA

  • 输入失调电流:

    Typ. 0.006 nA ~ max. 0.075 nA

  • GBW:

    Typ. 7 MHz

  • ft:

    Typ. 7 MHz

  • 噪声电压(en):

    Typ. 10 nV/√Hz

  • 输入失调温漂:

    Typ. 1 μV/℃

  • 工作温度范围:

    -40°C ~ 125°C

  • 结温:

    150°C

  • 稳定增益:

    1 V/V

  • CapacitiveLoadStable:

    1000 pF

  • 封装:

    SOP8 JEDEC 150mil

  • 备注(1):

    共模输入电压范围 (-12.5V to 12.5V)

  • 备注(2):

    高EMI抑制特性 (EMIRR = 82dB (f = 1.8GHz))

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Nisshinbo Micro Devices Inc.
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