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MD2369A	文件：54.45 Kbytes Page：1 Pages	DualTransistors DualTransistors TO-78Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MD2369A	文件：54.45 Kbytes Page：1 Pages	DualTransistors DualTransistors TO-78Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MD2369B	文件：54.45 Kbytes Page：1 Pages	DualTransistors DualTransistors TO-78Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MD2369B	文件：54.45 Kbytes Page：1 Pages	DualTransistors DualTransistors TO-78Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MMBT2369	文件：155.55 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT2369	文件：98.98 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingta	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
MMBT2369	文件：198.06 Kbytes Page：6 Pages	NPNSwitchingTransistor NPNSwitchingTransistor Thisdeviceisdesignedforhighspeedsaturationswitchingatcollectorcurrentsof10mAto100mA.SourcedfromProcess21.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT2369	文件：65.69 Kbytes Page：1 Pages	Epitaxialplanardieconstruction. FEATURES Epitaxialplanardieconstruction. Idealformediumpoweramplificationandswitching.	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	MAKOSEMI
MMBT2369	文件：145.87 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT2369	文件：144.84 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction. Ultra-smallsurfacemountpackage.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
MMBT2369	文件：1.04553 Mbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBT2369	文件：182.8 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistor NPNSiliconSwitchingTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT2369(A)LT1	文件：386.11 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingTransistors	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
MMBT2369A	文件：165.61 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT2369A	文件：146.66 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT2369A	文件：1.04915 Mbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBT2369A	文件：198.06 Kbytes Page：6 Pages	NPNSwitchingTransistor NPNSwitchingTransistor Thisdeviceisdesignedforhighspeedsaturationswitchingatcollectorcurrentsof10mAto100mA.SourcedfromProcess21.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT2369A	文件：167.88 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE15VoltsPOWER225mWatts FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=15V •CollectorcurrentIC=200mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives MECHANICALDATA •Case:SOT-23,Plastic •Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Method	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT2369A	文件：98.98 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingta	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
MMBT2369A	文件：182.8 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistor NPNSiliconSwitchingTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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详细参数

型号：
NJM2369E
功能描述：
开关变换器、稳压器与控制器 Cntrl IC for Flyback
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
输出电压：
1.2 V to 10 V
输出电流：
300 mA
输入电压：
3 V to 17 V
开关频率：
1 MHz
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
WSON-8
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	NJM2369E	JRC	2020+	SOP8	18600	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	NJM2369E	JRC/新日本无线	21+	SOP8	15000	全新原装现货,假一赔十	询价
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深圳市莱克讯科技有限公司	NJM2369E	JRC	2017+	SOP8	26589	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
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更多NJM2369E供应商更新时间2024-5-21 17:33:00

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