MMBT2369分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
MMBT2369 |
| 参数属性 | MMBT2369 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3 |
| 功能描述 | Epitaxial planar die construction. |
| 封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 文件大小 |
65.69 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | MAKOSEMI |
| 中文名称 | 美科半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-5 20:03:00 |
| 人工找货 | MMBT2369价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
MMBT2369三极管、MMBT2369晶体管、MMBT2369晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
- 性质:
中速 (MS)_开关管 (SW)
- 封装形式:
- 极限工作电压:
40V
- 最大电流允许值:
0.5A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
- 可代换的型号:
3DG120B,
- 最大耗散功率:
0.3W
- 放大倍数:
- 图片代号:
NO
- vtest:
40
- htest:
999900
- atest:
0.5
- wtest:
0.3
MMBT2369规格书详情
FEATURES
Epitaxial planar die construction.
Ideal for medium power amplification and switching.
产品属性
- 产品编号:
MMBT2369
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
250mV @ 1mA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
30µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 10mA,1V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3
- 描述:
TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-23 |
32000 |
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SOT23 |
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