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MMBT2369分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

MMBT2369

参数属性

MMBT2369 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3

功能描述

Epitaxial planar die construction.

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

65.69 Kbytes

页面数量

1

生产厂商

MAKOSEMI

中文名称

美科半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-5 20:03:00

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晶体管资料

  • 型号:

    MMBT2369

  • 别名:

    MMBT2369三极管、MMBT2369晶体管、MMBT2369晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

  • 性质:

    中速 (MS)_开关管 (SW)

  • 封装形式:

  • 极限工作电压:

    40V

  • 最大电流允许值:

    0.5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

  • 可代换的型号:

    3DG120B,

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    NO

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.5

  • wtest:

    0.3

MMBT2369规格书详情

FEATURES

Epitaxial planar die construction.

Ideal for medium power amplification and switching.

产品属性

  • 产品编号:

    MMBT2369

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    30µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,1V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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