NJL1302D中文资料Bipolar Power Transistor, PNP, ThermalTrak™, 15 A, 260 V数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
NJL1302D |
参数属性 | NJL1302D 封装/外壳为TO-264-5;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 260V 15A TO264 |
功能描述 | Bipolar Power Transistor, PNP, ThermalTrak™, 15 A, 260 V |
封装外壳 | TO-264-5 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-22 23:01:00 |
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NJL1302D规格书详情
描述 Description
The Bipolar Power Transistor has been designed to eliminate thermal equilibrium lag time and bias trimming in audio amplifier applications. It can also be used in other applications as a transistor die protection device.
特性 Features
• Thermally matched bias diode to eliminate thermal runaway
• Instant thermal bias tracking for superior sound quality
• Absolute Thermal Integrity
• High safe operating area
• Pb-Free Packages are Available
应用 Application
• High-fidelity consumer audio products
• Professional audio amplifiers
简介
NJL1302D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的NJL1302D晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:NJL1302D
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- IC Continuous (A)
:15
- VCEO(sus) Min (V)
:260
- hFE Min
:75
- hFE Max
:150
- PTM Max (W)
:200
- fT Min (MHz)
:30
- Package Type
:TO-264-5
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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