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NJG1684ME2数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频开关规格书PDF

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厂商型号

NJG1684ME2

参数属性

NJG1684ME2 封装/外壳为12-XFQFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频开关;产品描述:HIGH POWER SP4T SWITCH GAAS MMIC

功能描述

大功率SP4T 开关的GaAs MMIC
HIGH POWER SP4T SWITCH GAAS MMIC

封装外壳

12-XFQFN 裸露焊盘

制造商

Nisshinbo Nisshinbo Micro Devices Inc.

中文名称

日清纺微电子 ?清纺微电?株式会社

数据手册

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更新时间

2025-8-7 12:20:00

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NJG1684ME2规格书详情

描述 Description

NJG1684ME2 是最适用于LTE/UMTS/CDM/GSM 等移动通讯设备上大功率切换用的SP4T开关。该产品的特点是有低插入损耗、高隔离度及高线形性,1.8V的低切换电压,能对应到2.7GHz的宽频。在RF端子无需隔直电容器(当印加DC偏置电压时除外)。内置有保护元件使之有高ESD耐圧。采用了小型、超薄的EQFN12-E2 封装。

特性 Features

• 低失真特性 (IIP3=+70dBm typ. @f=829+849MHz, PIN=24dBmIIP3=+69dBm typ. @f=1870+1910MHz, PIN=24dBm2次谐波 -80dBc typ. @f=0.9GHz, PIN=35dBm3次谐波 -77dBc typ. @f=0.9GHz, PIN=35dBm)
• 低插入损耗 (0.25dB typ. @f=0.9GHz, PIN=35dBm0.30dB typ. @f=1.9GHz, PIN=33dBm0.35dB typ. @f=2.7GHz, PIN=27dBm)
• 0.1dB压缩时输入功率 (36dBm min.)
• 小型、超薄封装 (EQFN12-E2 (Package Size: 1.8 x 1.8 x 0.397mm typ.))
• 对应RoHS指、无卤化物、MSL1
• 高ESD耐圧 (内置有ESD保护电路)

应用 Application

• LTE,UMTS,CDMA,GSM用途
• 功放输出切换、多频段切换、天线切换及其他一般用途

简介

NJG1684ME2属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由制造生产的NJG1684ME2射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线(分集)接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择,或在发射和接收信号链之间切换天线。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NJG1684ME2

  • 生产厂家

    :Nisshinbo

  • P-0.1dB[dBm]

    :36

  • 功率级

    :High Power

  • 插入损耗[dB]

    :0.25@0.9GHz0.30@1.9GHz0.35@2.7GHz

  • 隔离度[dB]

    :37@0.9GHz29@1.9GHz25@2.7GHz

  • 频率范围[GHz]

    :0.2 to 3

  • 封装尺寸[mm]

    :1.8x1.8x0.397

  • 封装

    :EQFN12-E2

  • 备注

    :-

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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