NIMD6001中文资料MOSFET 驱动器 60 V，3.3 A 130 mΩ 双 N 沟道，带诊断输出数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
NIMD6001 |
| 参数属性 | NIMD6001 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC）的配电开关负载驱动器；产品描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 8SOIC |
| 功能描述 | MOSFET 驱动器 60 V，3.3 A 130 mΩ 双 N 沟道，带诊断输出 |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-20 15:22:00 |
| 人工找货 | NIMD6001价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NIMD6001规格书详情
描述 Description
NIMD6001N 是一款双 3 A 低压侧开关，带集成式共禁用输入和漏极诊断输出。 将禁用引脚拉至低电平将超越应用的任何门极电压，并关断两个 FET 开关。 如果漏极-源极电压超过大约 50V，则逻辑 1 在诊断/反馈引脚上有效。 内部隔离二极管允许多个器件的禁用和诊断/反馈引脚在有线 OR 配置中进行互联，而无需额外部件。
特性 Features
• 110m Maximum RDSON at VGS=10V
• Avalanche Energy Specified
• Gate Drive Disable Input
• Drain-Source Voltage Diagnostic Feedback Output
• Electrically Isolated Drains
• Internal Resistors Limit Peak Transient Gate Current
• AEC-Q101 Qualified
应用 Application
Injector Driver
技术参数
更多- 产品编号：
NIMD6001ANR2G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
- 包装：
剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 开关类型：
继电器，螺线管驱动器
- 输出数：
2
- 比率 - 输入：
1：1
- 输出配置：
低端
- 输出类型：
N 通道
- 接口：
开/关
- 电压 - 负载：
60V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
- 电流 - 输出（最大值）：
3.3A
- 导通电阻（典型值）：
60 毫欧
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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