NID6002N中文资料自我保护 MOSFET 65 V,11 A,210 mΩ 单 N 沟道,带温度和电流限值数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
NID6002N |
参数属性 | NID6002N 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为集成电路(IC)的配电开关负载驱动器;产品描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK |
功能描述 | 自我保护 MOSFET 65 V,11 A,210 mΩ 单 N 沟道,带温度和电流限值 |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-24 15:09:00 |
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NID6002N规格书详情
描述 Description
NID6002N 属于先进的功率 MOSFET 系列,使用安森美半导体最新的智能 MOSFET 技术工艺。集成的温度和电流限值一起提供短路保护。该器件具有集成的漏极-门极箝位,使其能够耐受雪崩模式下的高能量。该箝位还可针对非预期的瞬变电压提供附加安全裕度。静电 (ESD) 保护通过集成的门极-源极箝位提供。
特性 Features
• Short circuit protection
• Over-temperature protection with automatic restart
• Gate-Drain clamp
应用 Application
General use Automotive Driver
技术参数
更多- 产品编号:
NID6002NT4G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
集成电路(IC) > 配电开关,负载驱动器
- 系列:
HDPlus™
- 包装:
管件
- 开关类型:
通用
- 输出数:
1
- 比率 - 输入:
1:1
- 输出配置:
低端
- 输出类型:
N 通道
- 接口:
开/关
- 电压 - 负载:
60V(最大)
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):
不需要
- 电流 - 输出(最大值):
6.5A
- 导通电阻(典型值):
185 毫欧
- 输入类型:
非反相
- 特性:
自动重启,压摆率受控型
- 故障保护:
限流(固定),超温,过压
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 供应商器件封装:
DPAK
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 描述:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
1728+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
23+ |
DPAK-4 |
6000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2447 |
SOT252 |
100500 |
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ON SEMICONDUCTOR |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT252 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
DPAK |
66800 |
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ON Semiconductor |
2023+ |
DPAK-3 |
1826 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2023+ |
NA |
8635 |
全新原装正品,优势价格 |
询价 |