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NID6002N中文资料自我保护 MOSFET 65 V,11 A,210 mΩ 单 N 沟道,带温度和电流限值数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NID6002N

参数属性

NID6002N 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为集成电路(IC)的配电开关负载驱动器;产品描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK

功能描述

自我保护 MOSFET 65 V,11 A,210 mΩ 单 N 沟道,带温度和电流限值
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 15:09:00

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NID6002N规格书详情

描述 Description

NID6002N 属于先进的功率 MOSFET 系列,使用安森美半导体最新的智能 MOSFET 技术工艺。集成的温度和电流限值一起提供短路保护。该器件具有集成的漏极-门极箝位,使其能够耐受雪崩模式下的高能量。该箝位还可针对非预期的瞬变电压提供附加安全裕度。静电 (ESD) 保护通过集成的门极-源极箝位提供。

特性 Features

• Short circuit protection
• Over-temperature protection with automatic restart
• Gate-Drain clamp

应用 Application

General use Automotive Driver

技术参数

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  • 产品编号:

    NID6002NT4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 配电开关,负载驱动器

  • 系列:

    HDPlus™

  • 包装:

    管件

  • 开关类型:

    通用

  • 输出数:

    1

  • 比率 - 输入:

    1:1

  • 输出配置:

    低端

  • 输出类型:

    N 通道

  • 接口:

    开/关

  • 电压 - 负载:

    60V(最大)

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):

    不需要

  • 电流 - 输出(最大值):

    6.5A

  • 导通电阻(典型值):

    185 毫欧

  • 输入类型:

    非反相

  • 特性:

    自动重启,压摆率受控型

  • 故障保护:

    限流(固定),超温,过压

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 描述:

    IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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