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NID9N05BCL

Power MOSFET

文件:87.7 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NID9N05BCLT4G

Power MOSFET

文件:87.7 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NID9N05BCLT4G

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器 描述:MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3

ONSEMI

安森美半导体

NID9N05CL

Power MOSFET

Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • Low Switching Noise Generation Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − HBM 5000 V • Active Over−Voltage Gate

文件:69.7 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NID9N05CL

Power MOSFET

文件:76.8 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NID9N05CL

9.0 A, 52 V, N?묬hannel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package

Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • Low Switching Noise Generation Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − HBM 5000 V • Active Over−Voltage Gate

文件:123.57 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

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DPAK
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更多NID9N05BCL供应商 更新时间2026-2-3 18:00:00