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NID9N05CL	文件：69.7 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • Low Switching Noise Generation Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − HBM 5000 V • Active Over−Voltage Gate 文件：69.7 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NID9N05CL	文件：123.57 Kbytes Page：7 Pages	9.0 A, 52 V, N?묬hannel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • Low Switching Noise Generation Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − HBM 5000 V • Active Over−Voltage Gate 文件：123.57 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NID9N05CL	文件：76.8 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：76.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NID9N05CLG	文件：123.57 Kbytes Page：7 Pages	9.0 A, 52 V, N?묬hannel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • Low Switching Noise Generation Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − HBM 5000 V • Active Over−Voltage Gate 文件：123.57 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NID9N05CLT4	文件：69.7 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • Low Switching Noise Generation Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − HBM 5000 V • Active Over−Voltage Gate 文件：69.7 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NID9N05CLT4G	文件：123.57 Kbytes Page：7 Pages	9.0 A, 52 V, N?묬hannel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • Low Switching Noise Generation Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − HBM 5000 V • Active Over−Voltage Gate 文件：123.57 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NID9N05CL_06	文件：76.8 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：76.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NID9N05CLG	文件：76.8 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：76.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NID9N05CLG	文件：1.00404 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.00404 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NID9N05CLT4	文件：76.8 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：76.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NID9N05CL
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
管件
开关类型：
继电器，螺线管驱动器
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
52V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
9A
导通电阻（典型值）：
90 毫欧
输入类型：
非反相
故障保护：
过压
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
DPAK
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

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