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NID9N05CL | Power MOSFET PowerMOSFET 9.0A,52V,N−Channel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtectioninaDPAKPackage Benefits •HighEnergyCapabilityforInductiveLoads •LowSwitchingNoiseGeneration Features •DiodeClampBetweenGateandSource •ESDProtection−HBM5000V •ActiveOver−VoltageGate | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
NID9N05CL | 9.0 A, 52 V, N?묬hannel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package PowerMOSFET 9.0A,52V,N−Channel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtectioninaDPAKPackage Benefits •HighEnergyCapabilityforInductiveLoads •LowSwitchingNoiseGeneration Features •DiodeClampBetweenGateandSource •ESDProtection−HBM5000V •ActiveOver−VoltageGate | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
NID9N05CL | Power MOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
NID9N05CL | 包装：管件 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器 描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
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9.0 A, 52 V, N?묬hannel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package PowerMOSFET 9.0A,52V,N−Channel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtectioninaDPAKPackage Benefits •HighEnergyCapabilityforInductiveLoads •LowSwitchingNoiseGeneration Features •DiodeClampBetweenGateandSource •ESDProtection−HBM5000V •ActiveOver−VoltageGate | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
Power MOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
Power MOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
Power MOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
Power MOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
包装：卷带（TR）剪切带（CT） 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器 描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
包装：管件 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器 描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
9.0A,52V,N?묬hannel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtectioninaDPAKPackage PowerMOSFET 9.0A,52V,N−Channel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtectioninaDPAKPackage Benefits •HighEnergyCapabilityforInductiveLoads •LowSwitchingNoiseGeneration Features •DiodeClampBetweenGateandSource •ESDProtection−HBM5000V •ActiveOver−VoltageGate | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
PowerMOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
PowerMOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
PROTECTEDPOWERMOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
ProtectedPowerMOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI |
产品属性
- 产品编号：
NID9N05CL
- 制造商：
onsemi
- 类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
管件
- 开关类型：
继电器，螺线管驱动器
- 输出数：
1
- 比率 - 输入：
1：1
- 输出配置：
低端
- 输出类型：
N 通道
- 接口：
开/关
- 电压 - 负载：
52V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
- 电流 - 输出（最大值）：
9A
- 导通电阻（典型值）：
90 毫欧
- 输入类型：
非反相
- 故障保护：
过压
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 供应商器件封装：
DPAK
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSemiconductor |
2022 |
MOSFETN-CHCLAMP9A52VDPAK |
5058 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
询价 | ||
ON |
08+(pbfree) |
DPAK4LEADSingleG |
8866 |
询价 | |||
ON |
23+ |
DPAK4LEADSin |
10063 |
全新原装 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
23+ |
N/A |
89950 |
正品授权货源可靠 |
询价 | |||
ON |
6000 |
面议 |
19 |
TO-252 |
询价 | ||
ONSemiconductor |
23+ |
DPAK |
66800 |
原厂原装现货 |
询价 | ||
ON |
20+ |
TO-251 |
90000 |
全新原装正品/库存充足 |
询价 | ||
ON |
2020+ |
TO-252 |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO220 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 |
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