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NGTD28T65F2WP	文件：90.55 Kbytes Page：3 Pages	IGBT Die	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTD28T65F2WP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模具；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NGTD28T65F2WP
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，75A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

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更多NGTD28T65F2WP供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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