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NGTD28T65F2WP分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NGTD28T65F2WP |
| 参数属性 | NGTD28T65F2WP 封装/外壳为模具；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| 功能描述 | IGBT Die |
| 封装外壳 | 模具 |
| 文件大小 |
90.55 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-15 15:45:00 |
| 人工找货 | NGTD28T65F2WP价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NGTD28T65F2WP规格书详情
NGTD28T65F2WP属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体制造生产的NGTD28T65F2WP晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
NGTD28T65F2WP
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，75A
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
模具
- 供应商器件封装：
模具
- 描述：
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SMD |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
Die |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
23+ |
Die |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
模具 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
onsemi |
25+ |
模具 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
54000 |
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ON/安森美 |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
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询价 | ||
ON |
25+ |
模具 |
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