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NGTB50N65FL2WG	文件：349.62 Kbytes Page：12 Pages	Marking：50N65FL2；Package：TO-247；IGBT - Field Stop II ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStopIITrenchconstruction,andprovidessuperior performanceindemandingswitchingapplications,offeringbothlow onstatevoltageandminimalswitchingloss.TheIGBTiswellsuited forUPSandsolar	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB50N65FL2WG	文件：217.24 Kbytes Page：11 Pages	IGBT - Field Stop II	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NGTB50N65FL2WG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB50N65FL2WG_V01	文件：349.62 Kbytes Page：12 Pages	IGBT - Field Stop II ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStopIITrenchconstruction,andprovidessuperior performanceindemandingswitchingapplications,offeringbothlow onstatevoltageandminimalswitchingloss.TheIGBTiswellsuited forUPSandsolar	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB50N65FL2WG_16	文件：217.24 Kbytes Page：11 Pages	IGBT - Field Stop II	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB50N65FL2WAG	文件：163.01 Kbytes Page：10 Pages	IGBT-FieldStopII/4Lead	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NGTB50N65FL2WG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，50A
开关能量：
1.5mJ（开），460µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
100ns/237ns
测试条件：
400V，50A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3

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