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NGTB50N65FL2WG_V01

文件：349.62 Kbytes

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IGBT - Field Stop II

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStopIITrenchconstruction,andprovidessuperior performanceindemandingswitchingapplications,offeringbothlow onstatevoltageandminimalswitchingloss.TheIGBTiswellsuited forUPSandsolar

ONSEMION Semiconductor

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