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NGTB50N65FL2WAG

IGBT - Field Stop II / 4 Lead

文件:163.01 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGTB50N65FL2WAG

Package:TO-247-4;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT FIELD STOP 650V 160A TO247

ONSEMI

安森美半导体

NGTB50N65FL2WG

IGBT - Field Stop II

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and solar

文件:349.62 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGTB50N65FL2WG

IGBT - Field Stop II

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ONSEMI

安森美半导体

NGTB50N65FL2WG

IGBT - Field Stop II

文件:217.24 Kbytes 页数:11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NGTB50N65FL2WAG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    420µJ(开),550µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    23ns/123ns

  • 测试条件:

    400V,50A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-4

  • 供应商器件封装:

    TO-247-4L

  • 描述:

    IGBT FIELD STOP 650V 160A TO247

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更多NGTB50N65FL2WAG供应商 更新时间2025-12-5 15:08:00