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NGTB45N60S2	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT，600 V/45 A - 焊接 This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and\ncost effective Trench construction, and provides superior performance\nin demanding switching applications, offering both low on state\nvoltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for\nwelding applications. Incorpor TJmax = 175°C\nSoft Fast Reverse Recovery Diode\nOptimized for High Speed Switching\n5 µs Short−Circuit Capability;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB45N60S2WG	文件：86.24 Kbytes Page：5 Pages	IGBT - Inverter Welding 文件：86.24 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB45N60S2WG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 45A 600V TO-247	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
IGBT 600 V/45 A - Welding
V(BR)CES Typ (V)：
600
IC Max (A)：
Condition
VCE(sat) Typ (V)：
Condition
VF Typ (V)：
1.2
Eoff Typ (mJ)：
0.36
Trr Typ (ns)：
498
Irr Typ (A)：
36
Gate Charge Typ (nC)：
135
PD Max (W)：
300
Co-Packaged Diode：
Yes
Package Type：
TO-247-3

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更多NGTB45N60S2供应商更新时间2025-11-26 11:08:00

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