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SGH40N60UFD	文件：601.42 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH40N60UFD	文件：652.49 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH40N60UFDTU	文件：652.49 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH40N60UFTU	文件：700.79 Kbytes Page：7 Pages	SGH40N60UF600VPTIGBT GeneralDescription Fairchild®’sUFseriesIGBTsprovidelowconductionandswitchinglosses.UFseriesisdesignedfortheapplicationssuchasgeneralinverterandPFCwherehighspeedswitchingisrequiredfeature. Features •HighSpeedSwitching •LowSaturationVoltage:VCE(sat)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGP40N60	文件：546.58 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses. TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeedsw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGP40N60UF	文件：546.58 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses. TheUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeedsw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGT40N60NPFDPN	文件：437.8 Kbytes Page：6 Pages	40A,600VFIELDSTOPIGBT DESCRIPTION SGT40N60NPFDPNusingFieldStopIGBTtechnology,offertheoptimum performanceforinductionHeating,UPS,SMPSandPFCapplication. FEATURES 40A,600V,VCE(sat)(typ.)=1.8V@IC=40A Lowconductionloss Fastswitching Highinputimpedance	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SiHFPS40N60K	文件：183.25 Kbytes Page：9 Pages	EnhancedBodyDiodedV/dtCapability	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG40N60E	文件：145.49 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

产品属性

产品编号：
NGTB40N60FLWG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
散装
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，40A
开关能量：
890µJ（开），440µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
85ns/174ns
测试条件：
400V，40A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247
描述：
IGBT 600V 80A 257W TO247

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