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NGD15N41ACL

Ignition IGBT 15 A, 410 V N.Channel DPAK, D2PAK and TO.220

文件:147.81 Kbytes 页数:11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGD15N41ACL

Gate?묮mitter ESD Protection

文件:282.34 Kbytes 页数:11 Pages

Littelfuse

力特

NGD15N41ACLT4G

Ignition IGBT 15 A, 410 V N.Channel DPAK, D2PAK and TO.220

文件:147.81 Kbytes 页数:11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGD15N41ACLT4G

点火IGBT

这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管(IGBT)配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路,可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。 • DPAK封装占用空间小并可增加电路板空间\n• 栅极发射极ESD保护\n• 温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力\n• 集成ESD二极管保护\n• 新型电池设计可提高每个区域的非钳位感应开关(UIS)能量\n• 短路耐受能力\n• 低阈值电压将电源载荷接入逻辑或微处理器设备中\n• 低饱和电压\n• 高脉冲电流能力\n• 选配栅极电阻(RG)和栅极发射极电阻(RGE);

Littelfuse

力特

NGD15N41ACLT4G

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 440V 15A DPAK

Littelfuse Inc.

Littelfuse Inc.

技术参数

  • Collector Current-Continuous ICmax (A):

    15

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V):

    1.9

  • EAS - Single Pulse Collector-to-Emitter Avalanche Energy:

    250

  • Max Power Dissipation (W):

    107

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更多NGD15N41ACL供应商 更新时间2025-10-10 10:10:00