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NGB8207ABNT4G 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 LITTELFUSE/力特

NGB8207ABNT4G参考图片

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1+
  • 厂家型号:

    NGB8207ABNT4G

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    LITTELFUSE/力特

  • 库存数量:

    245

  • 产品封装:

    con

  • 生产批号:

    19269+

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2024-5-19 9:30:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:NGB8207ABNT4G品牌:Littelfuse

现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格

NGB8207ABNT4G是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商Littelfuse/Littelfuse Inc.生产封装con/TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB的NGB8207ABNT4G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    NGB8207ABNT4G

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    ONSEMI【安森美半导体】详情

  • 厂商全称:

    ON Semiconductor

  • 中文名称:

    安森美半导体公司

  • 内容页数:

    7 页

  • 文件大小:

    125.9 kb

  • 资料说明:

    Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    NGB8207ABNT4G

  • 制造商:

    Littelfuse Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 3.7V,10A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 365V 20A D2PAK

供应商

  • 企业:

    北京天阳诚业科贸有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    王伟越

  • 手机:

    13969210552

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  • 地址:

    德州市德城区三八东路东汇大厦A座1420室