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NGB8204ANT4G中文资料点火IGBT电源半导体数据手册Littelfuse规格书

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厂商型号

NGB8204ANT4G

参数属性

NGB8204ANT4G 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 430V 18A D2PAK

功能描述

点火IGBT电源半导体
IGBT 430V 18A D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

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更新时间

2025-11-24 20:00:00

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NGB8204ANT4G规格书详情

描述 Description

这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管(IGBT)配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路,可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。

特性 Features

·点火线圈应用的理想选择
·栅极发射极ESD保护
·温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力
·集成ESD二极管保护
·新设计可提高每个区域的非钳位感应开关(UIS)能量
·低阈值电压将电源载荷接入逻辑或微处理器设备中
·低饱和电压
·高脉冲电流能力
·集成栅极发射极电阻(RGE)
·针对短路的发射极镇流

应用 Application

·点火系统

简介

NGB8204ANT4G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由Littelfuse制造生产的NGB8204ANT4G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NGB8204ANT4G

  • 生产厂家

    :Littelfuse

  • Collector Current-Continuous ICmax (A)

    :18

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :1.8

  • EAS - Single Pulse Collector-to-Emitter Avalanche Energy

    :400

  • Max Power Dissipation (W)

    :115

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