Gate?묮mitter ESD Protection

Description This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over− Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current

文件：274.98 Kbytes 页数：8 Pages

Littelfuse

力特

Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel D2PAK

文件：124.89 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel D2PAK

文件：124.89 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

点火IGBT

这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管（IGBT）配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路，可用于感应线圈驱动器应用。 主要用于点火、直接燃油喷射或需要高电压与高电流切换的应用。 • 点火线圈和驱动线圈应用的理想选择。\n• 栅极发射极ESD保护\n• 温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力。\n• 集成ESD二极管保护\n• 低阈值电压将电源载荷接入逻辑或微处理器设备中\n• 低饱和电压\n• 高脉冲电流能力\n• 选配栅极电阻（RG和栅极发射极电阻（RGE）;

Littelfuse

力特

Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 440V 20A 150W D2PAK

Littelfuse

力特

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 440V 20A 150W D2PAK

Littelfuse

力特