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NGB18N40CLB

Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

文件:126.96 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB18N40CLBT4

18 Amps, 400 Volts N-Channel D2PAK

文件:135.94 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB18N40CLBT4

Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

文件:87.87 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB18N40CLBT4_06

Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

文件:87.87 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB18N40CLBT4G

Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

文件:87.87 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB18N40CLBT4G

Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

文件:126.96 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB18N40CLBT4

18 Amps, 400 Volts N-Channel D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

NGB18N40CLBT4

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 430V 18A 115W D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

NGB18N40CLBT4G

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 430V 18A 115W D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NGB18N40CLBT4

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 4V,15A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D²PAK

  • 描述:

    IGBT 430V 18A 115W D2PAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
05+
TO-263
10000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开130%增
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ON/安森美
24+
D2PARK
10524
原装正品,现货库存,1小时内发货
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ON
SOT-263
30216
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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ON
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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ONS
23+
NGB18N40CLBT
13528
振宏微原装正品,假一罚百
询价
ON
6000
面议
19
DIP/SMD
询价
ON/安森美
23+
SOT-263
24190
原装正品代理渠道价格优势
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ON
1709+
SOT-263
32500
普通
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ON/安森美
21+
SOT-263
30000
优势供应 实单必成 可13点增值税
询价
ON Semiconductor
22+
D2PAK
9000
原厂渠道,现货配单
询价
更多NGB18N40CL供应商 更新时间2025-11-6 22:30:00