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NGB18N40CLBT4分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NGB18N40CLBT4 |
参数属性 | NGB18N40CLBT4 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 430V 18A 115W D2PAK |
功能描述 | Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts |
封装外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
文件大小 |
87.87 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
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NGB18N40CLBT4规格书详情
NGB18N40CLBT4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体公司制造生产的NGB18N40CLBT4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
NGB18N40CLBT4
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 4V,15A
- 输入类型:
逻辑
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:
D²PAK
- 描述:
IGBT 430V 18A 115W D2PAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
D2PARK |
10524 |
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询价 | ||
ON |
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SOT-263 |
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ONSEMI/安森美 |
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ON |
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TO263 |
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SOT-263 |
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ON |
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ON/安森美 |
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TO-263 |
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ON/安森美 |
21+ |
SOT-263 |
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