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NGB15N41ACL

Ignition IGBT 15 A, 410 V N.Channel DPAK, D2PAK and TO.220

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NGB15N41ACL

Gate?묮mitter ESD Protection

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

NGB15N41ACLT4G

Ignition IGBT 15 A, 410 V N.Channel DPAK, D2PAK and TO.220

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NGB15N41ACLT4G

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 440V 15A 107W D2PAK3

Littelfuse Inc.

Littelfuse Inc.

Littelfuse Inc.

NGB15N41CL

IgnitionIGBT15A,410VN.ChannelDPAK,D2PAKandTO.220

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NGD15N41ACL

IgnitionIGBT15A,410VN.ChannelDPAK,D2PAKandTO.220

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NGD15N41ACL

Gate?묮mitterESDProtection

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

NGD15N41CL

IgnitionIGBT15Amps,410Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NGD15N41CL

IgnitionIGBT15Amps,410Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NGP15N41ACL

IgnitionIGBT15A,410VN.ChannelDPAK,D2PAKandTO.220

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

  • 型号:

    NGB15N41ACL

  • 功能描述:

    IGBT N-CH 15A 440V D2PAK-3

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    30

  • 系列:

    GenX3™ IGBT

  • 类型:

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大):

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开):

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大):

    200A 功率 -

  • 最大:

    830W

  • 输入类型:

    标准

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商设备封装:

    PLUS247?-3

  • 包装:

    管件

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更多NGB15N41ACL供应商 更新时间2025-7-24 14:30:00