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NESG2046M33	文件：118.31 Kbytes Page：3 Pages	NECsNPNSiGeTRANSISTORFORLOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION FEATURES •IDEALFORLOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATIONAPPLICATIONS: NF=0.8dBTYP.,Ga=11.5dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •HIGHBREAKDOWNVOLTAGETECHNOLOGY FORSIGETRANSISTORS: VCEO(absolutemaximumratings)=5.0V •3-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD(M33)PACKA	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NESG2046M33	文件：292.56 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiGeTRANSISTORFORLOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NESG2046M33	文件：240.54 Kbytes Page：10 Pages	NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR NPNSiGeRFTRANSISTORFOR LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION 3-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD(M33,0804PKG) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.8dBTYP.,Ga=11.5dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •Highbreakdownvoltagetechno	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2046M33	文件：274.09 Kbytes Page：8 Pages	NPNSILICONSiGeRFTWINTRANSISTOR NPNSILICON+SiGeRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PACKAGE) FEATURES •2differentbuilt-intransistors(NESG2046M33,2SC5800) Q1:HighgainSiGetransistor fT=18GHzTYP.,S21e2=13dBTYP.@VCE=1V,IC=15mA,f=2GHz Q2:Low	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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详细参数

型号：
NESG2046M33(A)
制造商：
Renesas Electronics Corporation

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市鹏顺微电子科技有限公司	NESG2046M33-A	CEL	2022+	3 针 SuperMiniMold(M33)	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	NESG2046M33-A	CEL	24+	3-SMD,扁平引线	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
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更多NESG2046M33(A)供应商更新时间2024-5-4 8:01:00

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